沉著應(yīng)對(duì)SiC動(dòng)態(tài)特性差異帶來的測(cè)試難點(diǎn)

*測(cè)不準(zhǔn)——碳化硅SiC動(dòng)態(tài)特性導(dǎo)致di/dt加快，電流采樣方案需要具備納秒級(jí)的解析度，否則測(cè)不準(zhǔn)器件的動(dòng)態(tài)特性
*測(cè)不全——碳化硅SiC高速開關(guān)，測(cè)試回路雜感高會(huì)帶來極高的電壓尖峰，在器件工作電壓范圍內(nèi)測(cè)不全
*可靠性差——測(cè)試驅(qū)動(dòng)電路需要具備極強(qiáng)的抗EMI干擾能力，否則易損壞被測(cè)器件，導(dǎo)致設(shè)備可靠性差

Edison功率模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)可沉著應(yīng)對(duì)SiC動(dòng)態(tài)特性差異帶來的測(cè)試難點(diǎn)。創(chuàng)新性層疊母排和電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，測(cè)試主回路雜感低至 6nH（Performance版）。高速、高頻、高可靠、高共模瞬變抗擾度（CMTI）使SiC驅(qū)動(dòng)器性能業(yè)界領(lǐng)先。使用泰克公司最新推出的新五系高分辨率示波器和專門用于高壓差分信號(hào)測(cè)試的光隔離探頭，為三代半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性表征帶來更高帶寬和更高測(cè)試精度。

一站式動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

• 從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線的全覆蓋

• 從IDM企業(yè)到應(yīng)用企業(yè)的全覆蓋

• 從Si到SiC的全覆蓋

• 從Discrete到不同封裝Power Module的全覆蓋

高帶寬高精度測(cè)量?jī)x器

• 系統(tǒng)匹配全球領(lǐng)先TIVP光隔離探頭，可提供無與倫比的帶寬、動(dòng)態(tài)范圍和共模抑制

• 探頭電壓采樣帶寬高達(dá)1GHz，是傳統(tǒng)電壓探頭帶寬5倍以上

• 共模抑制比高達(dá)120dB，比傳統(tǒng)探頭提升1000倍以上

• TIVP光隔離探頭能精準(zhǔn)捕捉碳化硅器件高速開關(guān)時(shí)Vgs、Id和Vds的波形細(xì)節(jié)

超低雜感測(cè)試主回路

• 創(chuàng)新性層疊母排和電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

• 測(cè)試主回路雜感低至 10nH

• 最新改進(jìn)型低至6nH

強(qiáng)悍的短路測(cè)試能力

10kA級(jí)短路電流測(cè)試能力，放心探索產(chǎn)品極限。

實(shí)測(cè)工況：直流母線電壓為800V ，短路脈寬2.8us，開通電阻20Ω，關(guān)斷電阻20Ω。